مدرک و پیشنیاز تحصیلی
مدرک لیسانس مرتبط در مهندسی برق یا الکترونیک، فیزیک، فوتونیک، علوم مواد یا زمینهای نزدیک و پایه مناسب ریاضی و علوم لازم است.
کارشناسی ارشد Radiation and its Effects on MicroElectronics and Photonics Technologies دانشگاه یووسکوله در فنلاند
University of Jyväskylä
مقطع
کارشناسی ارشد
زبان تحصیل
انگلیسی
مدت دوره
۲ سال تماموقت
شهریه سالانه
9,000 یورو
معرفی رشته
معرفی کارشناسی ارشد Radiation and its Effects on MicroElectronics and Photonics Technologies دانشگاه یووسکوله در فنلاند
این دوره مشترک اروپایی اثرات تابش بر میکروالکترونیک و فناوری فوتونیک را بررسی میکند. دانشجو در چند دانشگاه عضو کنسرسیوم تحصیل میکند و برای صنایع فضایی، هستهای، شتابدهندهها و طراحی سامانههای مقاوم در برابر تابش آماده میشود.
شرایط پذیرش
شرایط پذیرش رشته Radiation and its Effects on MicroElectronics and Photonics Technologies
روش ارزیابی و انتخاب
انتخاب بر اساس واجدشرایطبودن، تناسب تحصیلات قبلی، کیفیت سوابق و پیوستهای برنامه انجام میشود؛ در صورت نیاز دانشگاه ارزیابی یا مصاحبه تکمیلی را اعلام میکند.
مدرک زبان انگلیسی
حداقل آیلتس ۶٫۵، تافل ۴٫۵ در مقیاس جدید یا ۹۲ در مقیاس قدیم، یا PTE Academic با نمره ۶۲ لازم است؛ مسیرهای معافیت فقط طبق معیار رسمی پذیرفته میشوند.
نحوه ارسال درخواست
درخواست بهصورت آنلاین از طریق پرتال مستقل کنسرسیوم این دوره ثبت میشود. درخواست ایمیلی یا کاغذی اولیه پذیرفته نیست و همه پیوستها باید در سامانه بارگذاری شوند.
مدارک و تأییدات
مدرک و ریزنمرات لیسانس، ترجمه رسمی، مدرک هویتی، مدرک زبان و پیوستهای برنامه لازماند. پذیرفتهشدگان باید مدارک رسمی یا تأییدشده را برای راستیآزمایی ارائه کنند.
شهریه و اپلیکیشنفی
هزینه تحصیل یا مشارکت خودپرداخت ۹٬۰۰۰ یورو است. برای این دوره مشترک اپلیکیشنفی جداگانه اعلام نشده و اپلیکیشنفی ملی فنلاند اعمال نمیشود.
اسکالرشیپ و تخفیف شهریه
هزینه مشارکت برای متقاضی خارج از اتحادیه اروپا سالانه ۹٬۰۰۰ یورو است. بورسیه اراسموس موندوس هزینه مشارکت را پوشش میدهد و کمکهزینه ماهانه نیز دارد؛ متقاضی بدون بورسیه باید هزینههای تحصیل، سفر و زندگی را تأمین کند.
شیوه و محل تحصیل
این دوره ۱۲۰ واحدی تماموقت و حضوری است و بهدلیل ساختار مشترک، تحصیل در بیش از یک کشور انجام میشود؛ متقاضی باید شرایط ویزا و جابهجایی همه مسیرهای تعیینشده را داشته باشد.
مدرک زبان
مدرک زبان رشته Radiation and its Effects on MicroElectronics and Photonics Technologies
IELTS Academic
نمره کل:
6.5
حداقل نمره کل ۶٫۵ لازم است. IELTS Online، نسخه UKVI و One Skill Retake نیز پذیرفته میشوند.
Pearson Test of English (Academic)
نمره کل:
62
حداقل نمره کل ۶۲ لازم است. نسخه آنلاین و UKVI نیز پذیرفته میشوند.
TOEFL iBT
نمره کل:
4.5
در مقیاس جدید حداقل MyBest Score برابر ۴٫۵ و در مقیاس قدیم حداقل ۹۲ لازم است. Home Edition و Paper Edition نیز پذیرفته میشوند.
ورودی و ددلاین
ددلاین و زمانبندی پذیرش Radiation and its Effects on MicroElectronics and Photonics Technologies
Autumn Intake
شروع دوره:
سپتامبر
ددلاین:
13 فوریه
این دوره بازه مستقل کنسرسیوم اراسموس موندوس دارد و شروع و پایان پذیرش باید در فراخوان جاری RADMEP+ بررسی شود؛ تاریخ درجشده مهلت اصلی آخرین فراخوان منتشرشده است.
رشتههای مشابه
رشتههای مرتبط با Radiation and its Effects on MicroElectronics and Photonics Technologies
این رشته علوم طبیعی، فناوری و عوامل انسانی را برای پیشگیری از خطر و طراحی سامانههای ایمن ترکیب میکند. دانشجو در مدیریت ریسک، فرهنگ ایمنی، ارتباطات بحران و تحلیل مخاطرات فناوری مهارت کسب میکند.
کارشناسی ارشد
مهندسی و فناوری Crisis Leadership and Innovation, Engineering
Vaasa University of Applied Sciences – VAMKاین دوره مهندسان را برای مدیریت بحرانهای پیچیده، تقویت تابآوری سامانهها و استفاده مسئولانه از فناوری در تصمیمگیری آماده میکند. تحلیل ریسک، ابزارهای دیجیتال و هوش مصنوعی، مدیریت اضطراری و نوآوری در محیطهای بحرانی بخش اصلی آموزش است.
کارشناسی ارشد
مهندسی و فناوری Strategic Supply Chain Management
South-Eastern Finland University of Applied Sciences – Xamkاین دوره تحلیل، توسعه و نوآوری در زنجیره تأمین و لجستیک را با مدیریت تغییر، مالی، دانش و ریسک ترکیب میکند. دانشجو برای بهینهسازی فرایندهای لجستیکی و نقشهای مدیریتی و تخصصی آماده میشود و بر اساس مدرک قبلی مسیر مهندسی یا مدیریت را میگذراند.
مشاوره انتخاب رشته
مشاوره درباره رشته Radiation and its Effects on MicroElectronics and Photonics Technologies
شرایط تحصیلی، مدرک زبان، بودجه و شانس پذیرش خودت را برای این برنامه بررسی کن.